Support d'enregistrement magnetique perpendiculaire a forte orientation

Highly oriented perpendicular magnetic recording media

Abstract

L'invention porte sur un support d'enregistrement magnétique perpendiculaire comprenant une structure intercouches permettant d'orienter les cristaux d'une couche d'un matériau d'enregistrement magnétique perpendiculaire du type hexagonal close-packed (hcp) y étant formée, et comportant, formées dans l'ordre, sur la surface d'une sous-couche amagnétique: (1) une première couche cristalline d'un matériau présentant un premier paramètre de réseau une orientation de croissance fortement préférée; (2) une deuxième couche cristalline d'un matériau présentant un deuxième paramètre de réseau et la même orientation de croissance fortement préférée que la première couche cristalline; et (3) une troisième couche cristalline de matériau hcp dont le paramètre de réseau [0002] est similaire ou diffèrent de celui de la deuxième couche cristalline, et qui présente la même orientation de croissance fortement préférée <0002> que la première couche cristalline. La deuxième couche cristalline présente une énergie interfaciale avec la première couche cristalline inférieure à celle de son énergie interfaciale avec la deuxième couche cristalline, et supérieure à celle de son énergie interfaciale avec la troisième couche cristalline, en raison de l'énergie surfacielle plus faible de la première couche cristalline et de l'énergie surfacielle plus élevée de la deuxième couche cristalline.
A perpendicular magnetic recording medium including an interlayer structure for crystallographically orienting a layer of a hexagonal close-packed (hcp) perpendicular magnetic recording material formed thereon, comprising in overlying sequence from a surface of a magnetically soft underlayer: (1) a first crystalline layer of a material having a first lattice parameter and a strong preferred growth orientation; (2 a second crystalline layer of a material having a second lattice parameter and the same strong preferred growth orientation as the first crystalline layer; and (3 a third crystalline layer of an hcp material, having a [0002] lattice parameter similar to or different from that of the. second lattice parameter of the second crystalline layer and a strong <0002> preferred growth orientation, wherein: the second crystalline layer has a lower interfacial energy with the first crystalline layer and a higher interfacial energy with the third crystalline layer, owing to a lower surface energy of the first crystalline layer and a higher surface energy of the second crystalline layer.

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Patent Citations (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
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