Detecteur de rayons gamma et de rayons x cdxzn1-xte a rendement eleve et procede de fabrication associe

High performance cdxzn1-xte x-ray and gamma ray radiation detector and method of manufacture thereof


The present invention is a radiation detector that includes a crystalline substrate formed of a II-VI compound and a first electrode covering a substantial portion of one surface of the substrate. A plurality of second, segmented electrodes is provided in spaced relation on a surface of the substrate opposite the first electrode. A passivation layer is disposed between the second electrodes on the surface of the substrate opposite the first electrode. The passivation layer can also be positioned between the substrate and one or both of the first electrode and each second electrode. The present invention is also a method of forming the radiation detector.
L’invention concerne un détecteur de rayonnement qui comprend un substrat cristallin formé d'un composé II-VI et une première électrode recouvrant une partie importante d'une surface du substrat. Une pluralité de deuxièmes électrodes segmentées est disposée de manière espacée sur une surface du substrat opposée à la première électrode. Une couche de passivation est disposée entre les deuxièmes électrodes sur la surface du substrat opposée à la première électrode. La couche de passivation peut également être positionnée entre le substrat et la première électrode et/ou la deuxième électrode. L’invention porte également sur un procédé de réalisation du détecteur de rayonnement.




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Patent Citations (2)

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    US-2003016196-A1January 23, 2003Display Research Laboratories, Inc.Thin film transistors suitable for use in flat panel displays
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NO-Patent Citations (1)

    See also references of EP 1891465A2

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